Fakultet za fiziku i Centar za mikro- i nanoznanosti i tehnologije Sveučilišta u Rijeci raspolažu sljedećim uređajima

Pretražni elektronski mikroskop

Pretražni elektronski mikroskop omogućuje promatranje i karakterizaciju heterogenih organskih i anorganskih materijala na nanometarskoj (nm) i mikrometarskoj (μm) razini. Površina koju želimo ispitati ili mikro-obujam kojega želimo analizirati ozračen je dobro fokusiranim elektronskim snopom u svrhu stvaranja slike ili za elementnu analizu uzorka. Rezultati međudjelovanja elektronskog snopa s uzorkom mogu biti: sekundarni elektroni (emitirani iz uzorka), povratno raspršeni elektroni (iz elektronskog snopa) i karakteristično rendgenskog zračenje emitirano s uzorka. Signali se mogu koristiti za ispitivanje različitih karakteristika uzoraka, kao što su topografija površine, kristalografija, kemijski sastav, itd. 

Teme istraživanja uključuju istraživanje morfologije i debljine različitih poluvodičkih ili izolatorskih filmova dobivenih tehnikom depozicijom atomskih slojeva, dijatomeje ili alge kremenjašice (slatkovodne i morske), pustinjsku prašinu, mikroplastik, bakterije, ortodontske uzorke, aerosol i mnoge druge materijale.

JEOL pretražni elektronski mikroskop s emisijom polja (JSM-7800F) s maksimalnom rezolucijom od 0.8 nm, naponom ubrzanja između 0.01 – 30 kV i rasponom povećanja: x25 – 1.000.000, opremljen sa sljedećim detektorima:

Različiti precizni uređaji za pripremu uzoraka:

Spektroskopija fotoelektrona
rendgenskim zrakama

 Spektroskopija fotoelektrona rendgenskim zrakama (X-ray Photoelectron Spectroscopy, XPS) ili elektronska spektroskopija za kemijsku analizu (Electron Spectroscopy for Chemical Analysis, ESCA) je analitička tehnika za proučavanje elementalne strukture i kemijskih stanja na površinskim slojevima uzoraka. Primjenjuje se na širokom spektru materijala, od metala i poluvodiča do organskih ili bioloških uzoraka i polimera. XPS se temelji na međudjelovanju rendgenskih zraka s atomima na površini uzoraka, koje uzrokuje emisiju fotoelektrona s površine. Energije fotoelektrona, koje se analiziraju u elektronskom analizatoru, karakteristične su za pojedine elemente prisutne unutar volumena pobuđenja. XPS je izrazito površinska tehnika s dubinom uzimanja signala do približno 70 Å. Uz dodatak izvora ionskih snopova koji na kontrolirani način mogu uklanjati slojeve površine, XPS nalazi široku primjenu u dubinskom elementnom profiliranju uzoraka i mjerenju debljine i uniformnosti tankih filmova. Posebnost XPS tehnike leži u mogućnosti određivanja kemijskog stanja detektiranih elemenata na površinama, poput razlikovanja oksidacijskih stanja različitih elemenata.

Uređaj za spektroskopiju fotoelektrona rendgenskim zrakama (XPS) njemačkog proizvođača SPECS, opremljen sljedećim uređajima:

Masena spektrometrija sekundarnih iona

  Masena spektrometrija sekundarnih iona (Secondary Ion Mass Spectrometry, SIMS) je analitička tehnika za elementnu analizu i mjerenje ultraniskih koncentracija primjesa i nečistoća u različitim materijalima i tankim filmovima s posebno značajnom primjenom u fizici poluvodiča i poluvodičkoj tehnologiji. Detekcijske granice su za većinu elemenata u ppm ili čak u ppb području, pa je po tome SIMS jedna od najosjetljivijih tehnika za elementnu analizu. SIMS se temelji na detekciji iona (sekundarnih iona) izbijenih s površine uzorka za vrijeme bombardiranja površine energetskim ionima (primarnim ionima). Primarni ioni erodiraju površinu (eng. sputtering), a mali postotak izbačenih atoma ili molekula je ioniziran (sekundarni ioni). Kao izvor primarnih iona naš uređaj koristi ione Cs+, O2+ ili Ar+, a može detektirati pozitivne ili negativne sekundarne ione (atomske i molekularne) u rasponu od 1 amu do 500 amu, koristeći kvadrupolni maseni analizator.

SIMS mjerenja mogu se izvoditi u tri načina rada: statički, dinamički i SNMS način rada. U statičkom modu, SIMS se koristi za analizu elemenata na samoj površini uzoraka, a u dinamičkom modu, kroz eroziju površine (stvaranje kratera na površini), za dubinsko profiliranje elemenata. SNMS način rada (Masena spektroskopija sekundarnih netralnih čestica, Sputtered Neutral Mass Spectroscopy) omogućuje detekcije neutralnih atoma i molekula. Neutralni atomi izbačeni s površine uzoraka za vrijeme ionskog bombardiranja prije ulaska u kvadrupol se ioniziraju pomoću elektronskog izvora.

SIMS instrument je Hidden system sa sljedećom opremom:

Bruker DektakXTTM stylus profiler – služi za mjerenje različitih fizičkih svojstava površine materijala. U našem laboratoriju prvenstveno se koristi za mjerenje dubine kratera nakon SIMS dubinskog profiliranja i hrapavosti površine.

Uređaj za depoziciju atomskih slojeva

Uređaj za depoziciju atomskih slojeva (ALD) je tehnika koja se koristi za depoziciju tankih anorganskih filmova s velikom preciznošću kontrole debljine. ALD je tehnika depozicije iz pare kojom se mogu narastati tanki filmovi na površinama različitih podloga: planarnim objektima, poroznim materijalima i kompleksnim 3D objektima. Karakterističan ALD proces se sastoji od pulsiranja najčešće dva prekursora u plinovitoj fazi koji reagiraju s površinom podloge. Ovaj proces se ponavlja sve dok se ne postigne željena debljina filma. Zbog samoograničavajuće prirode ALD kemijskih procesa moguće je narastanje uniformnih slojeva jednake debljine bez obzira na geometriju supstrata, precizno kontroliranje sastava i debljine filma. U našem ALD sistemu najčešće se sintetiziraju oksidni tanki filmovi kao što su: ZnO, Al2O3, TiO2, SiO2 i nitridi: AlN, TiN, Si3N4. 

Uređaj za depoziciju tankih filmova (ALD) – sistem Beneq TFS 200

Spektrofotometar

UV-Vis spektrofotometar omogućuje spektrofotometrijska mjerenja u ultraljubičastom i vidljivom djelu elektromagnetskog zračenja s materijom.  

U našem laboratoriju pomoću uređaja UV-Vis spektrofotometar EVOLUTION 201 najčešće proučavamo dekolorizaciju bojila tijekom fotokatalitičkoga procesa.

Uređaj UV-Vis spektrofotometar EVOLUTION 201 posjeduje sljedeće specifikacije: